富士電機(jī)株式會社，富士電機(jī)（中國）有限公司自8月起開始出貨功率半導(dǎo)體的新產(chǎn)品--第7代“X系列”IGBT※1模塊的樣品，特發(fā)通知。 ※1：Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙極型晶體管） 1．背景 IGBT模塊是一種能實(shí)現(xiàn)節(jié)能和穩(wěn)定供電的核心器件，被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)設(shè)備如電機(jī)驅(qū)動用變頻器、不間斷電源裝置（UPS）、風(fēng)能和太陽能發(fā)電設(shè)備用功率調(diào)節(jié)器等。預(yù)計(jì)市場規(guī)模將于2016年達(dá)到約4,262億日元，之后保持每年6.0％的增長率。（數(shù)據(jù)來源：WSTS）。 近年來隨著全球能源需求增長，各個領(lǐng)域?qū)I(yè)設(shè)備都提出了更高的節(jié)能要求。而工廠等生產(chǎn)現(xiàn)場則非常注重機(jī)器設(shè)備的小型化、節(jié)省空間化及高可靠性。 本模塊是能夠滿足以上需求的最新產(chǎn)品，本次將首先出貨1,200V耐壓產(chǎn)品的樣品，今后計(jì)劃擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，逐次推出650V以及1,700V耐壓產(chǎn)品。 2．產(chǎn)品特點(diǎn) （1）降低電耗，促進(jìn)節(jié)能 通過對構(gòu)成本模塊的IGBT元件和二極管元件進(jìn)行厚度減薄和微細(xì)化改進(jìn)，實(shí)現(xiàn)了最佳元件結(jié)構(gòu)。因此與傳統(tǒng)產(chǎn)品（本公司第6代“V系列”）相比，變頻器的工作電耗降低，有助于設(shè)備的節(jié)能和降低電力成本。 （2）實(shí)現(xiàn)設(shè)備小型化 使用最新研發(fā)的絕緣基板增強(qiáng)了模塊的熱擴(kuò)散性能。除上述效能（降低電耗）以外還能抑制發(fā)熱，從而較以往模塊實(shí)現(xiàn)了約36％的小型化※2。此外還將最高連續(xù)工作溫度從以往的150℃提高至175℃，所以能做到在維持設(shè)備原尺寸不變的同時，輸出電流實(shí)現(xiàn)了最大35％※3的增幅。這些都促進(jìn)了設(shè)備小型化和總成本的降低。 ※2：1,200V 75A PIM產(chǎn)品的安裝面積比 ※3：本公司估算值 （3）提高設(shè)備可靠性 　 通過修改模塊的結(jié)構(gòu)和使用材料，提高了高溫條件下的工作穩(wěn)定性和持久性，有助于提高設(shè)備本身的可靠性。